Dynamische Testsysteme2020-09-24T13:54:06+00:00

Dynamische Testsysteme

Dynamische H3TRB | HTGB (HTGS) | RTGB (RTGS)

Lebensdauer und Zuverlässigkeit von Wide-Bandgap-Materialien wie SiC und GaN sind derzeit ein hochaktuelles Thema. Hier stehen insbesondere neue Fehlermechanismen im Fokus. Deren Effekte zeigen sich mit den traditionellen H(3)TRB und HTGB nicht. Und trotzdem haben diese Einfluss auf die reale Applikation.

Diese Lücke in der Qualifikation wird durch dynamische Halbleitertests geschlossen. Deren Anforderungen gehen deutlich über die bisherigen Testverfahren hinaus. Außerdem sind sie stärker an der Applikation orientiert.

Die SET bietet Testsysteme für dynamische H3TRB, HTGB (HTGS) und RTGB (RTGS) an. Diese setzen die erweiterten Anforderungen aus der Industrie in automatisierte dynamische Halbleitertests bzw. dynamische SiC-Tests um. Besonderer Fokus liegt hierbei auf der Flexibilität, um veränderte Anforderungen schnell abbilden zu können.

Zu den System Features ↓

Dynamische Testsysteme

Dynamische Halbleitertests: Features

Dieses Testsystem testet Prüflinge auf Veränderungen der Eigenschaften, die in der Applikation durch die Ansteuerung des Gates entstehen. Über die Lebenszeit der Applikation können dadurch Effekte auftreten, die die Leistungsfähigkeit des Halbleiters beeinträchtigen.

Vorteile eines dynamischen HTGB (HTGS) und RTGB (RTGS) Testsystems:

  • 40 Test channels
  • Gate V+ and V- SW configurable, Wide Bandgap Compatible
  • Gate du/dt configurable
  • Stress Frequency up to 300khz
  • In-situ Gate Threshold measurement
  • Hot/cool Plate for DUTs, -10°C to 200°C

Der herkömmliche statische H3TRB untersucht im Wesentlichen das Verhalten eines Bauteils unter Spannung und bei hoher Luftfeuchtigkeit. Hierbei kann es im Gerät zu verschiedenen Effekten kommen – darunter auch die Korrosion von Materialien bei angelegter statischer Spannung.

In der Applikation treten jedoch insbesondere bei den neuen Wide-Bandgap-Technologien (SiC/GAN) zusätzlich zur statischen Spannung hohe Spannungsänderungen auf. Diese Spannungsänderungen beschleunigen durch die konstanten Feldänderungen mögliche Korrosionen deutlich. Dies kann dann zu einem deutlich früheren Ausfall der Halbleiter in der Applikation führen als durch den statischen H3TRB-Test zu erwarten wäre.

Die SET bietet deshalb als Erweiterung zu Ihren H(3)TRB Systemen ein dynamisches Stimuli der diskreten Bauteile oder Module im H3TRB-Test an. Dieser Test mit dynamischer Komponente ist insbesondere für Applikationen mit hohen Spannungsänderungen Voraussetzung, um solide Aussagen über die Lebensdauer zu treffen.

Vorteile eines dynamischen H3TRB Testsystems:

  • 40/80/160/240 Test channels
  • Voltage Range SW Configurable up to 1200V
  • Frequencies up to 350khz

Forschung, Entwicklung & Standardisierung

Um die Relevanz dynamischer Lebensdauertests zu belegen, hat die SET GmbH in ihrer Forschungs- & Entwicklungsabteilung Testaufbauten vorgenommen, Parameter definiert und anhand eines der gängigsten Messverfahren mehrere marktübliche SiC-Komponenten dynamischen HTGB- und H3TRB-Tests unterzogen.

Darüber hinaus ist die SET im Co-Chair der ECPE Arbeitsgruppe zur Guideline AQG 324 und erarbeitet dort europäische Qualifizierungsrichtlinien für Leistungsmodule in Umrichtern in Kraftfahrzeugen, um die neuen Testanforderungen industrieweit zu vereinheitlichen und standardisieren.

Dynamisches Testsystem Schublade
SET dynamische Testsystem Panel
Dynamisches Testsystem Schublade